若內存速度提升1000倍 你的電腦會有怎樣的提升？

                    

                    
							by Doom
								
			
						    			
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                    內存芯片電腦                    

                    
		    
		    
		    
		    
		    			
		    					    
		    			
                

                

		    			
											
　　科客點評：科技在不斷地發展，我們在使用的任何產品在今后都有可能會迎來非常大的變化，這也是科技給我們帶來的福利。
　　下一代內存的讀取速度會比現在快多少？來自美國斯坦福大學的研究人員認為，相變內存(Phase-Change 
Memory，PCM)很可能是現在DRAM內存性能的1000倍。
若內存速度提升1000倍 你的電腦會有怎樣的提升？
　　其實相變內存已經不是什么新鮮事物，IBM、英特爾等科技巨頭早已開始了相變內存的研發工作，而其大致原理就是巧妙利用了一種特殊物質在通電條件下可由無定形態轉變為結晶態的特性，以此來存儲數字信息，但是這種技術的短板在于相變過程存在較為明顯的延遲，而這對于相變內存的存取速度至關重要。
　　斯坦福大學的最新研究結果顯示，在0.5THz強度的電脈沖情況下，僅需幾皮秒(1秒等于1012皮秒)相變內存就能產生用于存儲數據的結晶纖維，盡管其他大部分依舊呈無定形狀態，但基于以上實驗結果，可以認為相變內存的相變過程基本在皮秒級別，而現在的DRAM(1秒等于109皮秒)內存是用納秒來衡量的，如此一來便是1000倍的差距(1納秒等于103皮秒)，也就是說相變內存的存儲速度理論上能夠達到DRAM內存的1000倍，同時能耗較低且斷電后數據不會丟失。
　　Aaron Lindenberg教授表示，雖然該研究成果非常基礎，但是卻充滿前景，功耗更低速度更快的相變內存或許真的不太遠了。關注科客網官方微信kekebat，獲取更多精彩資訊。（騰訊數碼，原標題《如果內存速度提升了1000倍 你的電腦是啥樣？》）
			
			
			
		    
                    
                    

                            				

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